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  • 沉積系統
    沉積系統

    三到六個端口傳送腔室可用于集成ICP等離子刻蝕機、RIE刻蝕機、原子層沉積系統、PECVD和ICPECVD沉積設備，以滿足研發的要求。樣品可以通過預真空室和/或真空片盒站加載。

    更新時間：2024-07-10型號：訪問量：1121
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  • SENTECH二維材料刻蝕
    SENTECH二維材料刻蝕

    SENTECH二維材料刻蝕能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。

    更新時間：2024-07-10型號：訪問量：1288
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  • SENTECH原子層沉積設備
    SENTECH原子層沉積設備

    原子層沉積設備：真遠程等離子體源能夠在低溫100°C下高均勻度和高保形性地覆蓋敏感襯底和膜層，在樣品表面提供高通量的反應性氣體，而不受紫外線輻射或離子轟擊。

    更新時間：2024-07-10型號：SENTECH訪問量：1414
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